光刻掩膜版制作流程讲述-苏州硅时代电子

　　  步骤1、提供掩膜基板，在掩膜基板基板上涂覆一层光刻胶；

　　步骤2、对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶图案；

　　步骤3、采用电铸工艺或物理气相沉积工艺在所述金属基板上于光刻胶图案的直孔内沉积一层掩膜材料

　　步骤4、去除掩膜基板和光刻胶图案，得到初始掩膜板

　　步骤5、在初始掩膜板的上、下表面分别形成上光致刻蚀层图案、下光致刻蚀层图案；所述上光致刻蚀层图案完全覆盖所述挡墙的上表面，所述下光致刻蚀层图案仅覆盖所述挡墙的下表面的中间部分

　　步骤6、采用化学刻蚀工艺对初始掩膜板的下表面及直孔通孔的内壁进行刻蚀，形成具有斜锥角的曲线形凹槽；该曲线形凹槽的开口尺寸自下而上逐渐减小至蒸镀所需的设计开孔尺寸

　　步骤7、去除所述上、下光致刻蚀层图案，得到掩膜板。

　　苏州硅时代电子科技有限公司（Si-Era），集高精度掩模版的设计、研发、制作与服务为一体，公司硬件配置先进，从瑞典、日本、德国等国引进同行业先进的掩模版直写光刻制作系统及检查测量的设备，公司核心技术团队硕士学历及以上占比80%，骨干员工均有5年以上的掩模版生产、研发经验。

　　公司的主要产品高精密掩模版应用于：集成电路(IC)，IC封装，微机电（MEMS），功率器件与分立器件，平板显示行业（FPD），线路板行业，以及发光二极管(LED)和精细光学元器件行业，产品处于中国大陆掩膜版行业的先进水平。同时公司拥有强大的MEMS设计与加工实力，具备成熟的光刻、刻蚀、镀膜、封装、测试等微纳加工能力，为客户提供全方位的技术服务。